相对于常规 VDMOS器件结构， RDS(on)与BVSS存在矛盾关系，要想提高BVSS，一般都是从减小EPI掺杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI 掺杂浓度减小了，电阻必然变大，RDS(on)增大。否则就需要增大芯片面积，增大封装外形，增加大量成产成本。所以对于普通 VDMOS，两者之间的矛盾不可调和。

   采用超结(Super Junction，简称SJ)工艺的高压功率MOSFET，是通过设置一个深入EPI层的P柱区，通过提高电流传导区的掺杂浓度，显著降低单位面积导通电阻，但同时又不使耐压受到影响，从而使其成为具有高耐压和低电阻特性的一种新型器件。特殊的超结结构让高压超结MOSFET的内阻在同样面积情况下降低到传统平面MOSFET的1/5，开关损耗因此减为普通的VDMOSFET的1/2。

  与传统的功率 MOSFET相比，SJ-MOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、开关速度快、出色的非钳位感性开关（Unclamped Inductive Switching， UIS）能力、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点。

如上图所示，目前主要有三种方法制作沟槽：

一、通过多次掩刻，反复注入掺杂，外延生长得到P柱区，称为多层外延（Multi-EPI）。此方法注入比较均匀，工艺品质相对容易控制，但生产工序多，生产周期长，成本相对较高。

二、直接挖出深沟槽（Deep-Trench）。通过在Ｎ型外延上开深沟槽，然后再利用外延工艺在沟槽内生长出Ｐ型单晶硅形成在Ｎ型外延上的Ｐ型区域，然后通过回刻工艺将槽内生长的Ｐ型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐，以形成纵向Ｐ型区域。成本相对较低，但不容易保证沟槽内性能的一致性。

三、倾斜角度注入（STM技术）。除了多次注入法，能保证在EPI中注入这么深，并且保证不同位置的浓度差异不大的方法还有STM技术（Super trench MOSFET）。采用倾斜角度注入，实现 Super junction的结构。

1.内阻低，通态损耗降低  

   由于SJ-MOSFET的RDS(on)远远低于VDMOS，在产品应用过程中表现为SJ-MOSFET的通态损耗较之VDMOS大幅减少，减少发热，从而提高了产品的能效比，SJ-MOSFET的这个优点在大功率、大电流类的电源产品上，优势表现的尤为突出。

 2.封装体积小，有利于功率密度的提高  

    首先，同等电流、电压规格和同等功率条件下，SJ-MOSFET的晶圆面积要远小于VDMOS工艺的晶圆面积，从而便于封装成更小尺寸的产品，有利于电源系统功率密度的提高，设计更小体积的电源电路。

其次，由于SJ-MOSFET的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗，减少了工作状态下导通过程中的热聚集，从而有利于缩减散热器的体积，甚至取消散热器，有效减小了线路板面积和产品外壳尺寸，有效的提高了产品的功率密度，降低成本。

   3.栅电荷小，降低了对电路的驱动能力的要求  

    传统VDMOS 的栅电荷相对较大，我们在实际应用中会遇到由于IC的驱动能力不足造成的温升问题，而在电路设计中为了增加IC的驱动能力，确保MOSFET的快速导通，我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路，从而增加了电路的复杂性。SJ-MOSFET 的栅电容相对比较小，这样就可以降低其对驱动能力的要求，提高了系统产品的可靠性。

    4.结电容小，开关速度加快，开关损耗小  

    由于SJ-MOSFET结构的改变，其输出的结电容也有较大的降低，从而降低了其导通损耗。同时由于SJ-MOSFET栅电容也有了相应的减小，电容充放电时间变短，提高了SJ-MOSFET的开关速度与频率，也有利于减小变压器和电感尺寸。对于频率固定的电源而言，可以有效的降低其开关损耗，提高整个电源系统的效率。应用在频率相对较高的电源上，收效更为明显。

以上优势给客户带来整体BOM成本降低，电源效率提升。尤其是便携式产品，满足客户对小型化、轻薄化、低温升、高性价比、高效率、节能环保等方面的要求。