MOS管开关频率如何测算

MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

以IRF840的参数计算，假定门极电压10V，那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是，不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了，而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号有关，与门极充电达到的电压有关(实际上门极电容并不是线性电容)，不太准确的估计，可以把门极电容放电时间估计为63us的2倍，即0.12ms。MOS管门极充电电阻较小(首帖图中为3千欧)，估计充电时间为0.06ms。那么充电放电时间一共是0.18ms。该MOS管在此电路中最大开关工作频率为5.5kHz。

MOS开关管的损耗计算

1、开通损耗

MOS管在开通过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下

Rds（on）为Mos管的导通电阻，会随着MOS管结温的变化而变化，一般MOS的Datasheet中都会给出一个温度变化曲线，可以参考改曲线取值。

Idrms为导通过程中的电流有效值、Ton为一个周期内的导通时间、F为开关频率

3、关断损耗

MOS管在关断过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下：

Idss为Mos管截止时在实际结温情况下的漏电流，可以参考器件手册取一个合适的值。Vds为截止时Mos管DS之间的电压、Toff为一个周期内的截止时间、f为开关频率。