场效应管

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VDMOS简介

垂直导电-双扩散-金属-氧化层-半导体-场效应管
Vertical-Double diffused-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor, VDMOSFET

Metal就是Gate栅极作为控制极的，而Oxide是栅氧作为场效应感应反型沟道的，Semiconductor自然就是衬底沟道的硅了，而Field Effect自然就是说它的工作原理了，它的控制极是靠栅极电压通过栅极氧化层感应产生反型沟道实现源漏导通，从而实现“0”和“1”的转换。

VD MOS 芯片结构

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